Precision Instruments Lab(精密儀器實驗室)

實驗室介紹

實驗室相片

精密儀器實驗室座落於元智大學三館R3006如右圖所示。為了使每台儀器發揮最大功效,本實驗室採集中式管理方式,有效提高設備運用及技術資源,避免重覆投資設備及浪費資源。本實驗室提供校內、外之製程技術共通平台,以建立資源共享亦共管。透過此平台快速整合校內、外教授專長並建構具特色及競爭力之研究團隊。本實驗室主要設備有原子力顯微鏡、奈米壓痕機、場發射掃描式電子顯微鏡、紫外線/可見光分光光譜儀、霍爾效應測試儀及太陽能電池電流電壓特性量測系統等設備作為奈微米元件性能檢測使用。

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設備介紹

設備相片

原子力顯微鏡

利用探針與樣品間的交互作用在掃描過程中保持一定距離,紀錄掃描面上每一點的垂直微調距離,便可獲得樣品表面的等交互作用圖像,進而推導出樣品表面特性

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奈米壓痕機

利用奈米鑽石壓頭將極微小之荷重作用在待測材料表面,使材料發生變形。利用位移感測器可測得壓頭之壓入深度、進而得知下壓面積;而藉由測試所得之荷重-深度曲線,配合Oliver-Pharr關係式,可進一步計算得到材料之硬度及彈性係數。

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紫外線/可見光分光光譜儀

Lambda 750S紫外光/可見光/近紅外光分光光譜儀為分析電子、光電、化工等材料之穿透率、漫射率及全反射率儀器,系統規格在紫外光/可見光解析度達0.05-5nm、在近紅外光解析度可達0.2-20nm。本系統搭配6公分積分球可以量測光譜範圍達190-2500nm,準確度相較於理論值可達2%以內。

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霍爾效應測試儀

可用於確認半導體薄膜電特性,如載子濃度、移動率、電阻率及霍爾係數等。本系統配備電流電壓量測功能以確認試片歐姆接點特性。主要利用 Van Der Pauw 四點探針法和霍爾效應,量測薄膜中多數載子濃度與遷移率,此系統可於77K與室溫下量測各種N型與P型半導體及化合物半導體薄膜電特性。

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太陽能電池電流電壓特性量測系統

本系統主要使用Keithley 4200SCS參數分析儀,提供太陽能電池與其他元件結構之電流電壓特性量測。本系統最大輸出電流/電壓分別為100 mA/200V,準確度可達10 fA/100μV 。本系統亦包含黑箱與高精度探針座組,可分析電池結構之暗電流特性。

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